Advanced Gate Stacks for High-Mobility Semiconductors
Will nanoelectronic devices continue to scale according to Moore's law? At this moment, there is no easy answer since gate scaling is rapidly emerging as a serious roadblock for the evolution of CMOS technology. Channel engineering based on high-mobility semiconductor materials (e.g. strained Si, alternative orientation substrates, Ge or III-V compounds) could help overcome the obstacles since they offer performance enhancement. There are several concerns though. Do we know how to make complex engineered substrates (e.g. Germanium-on-Insulator)? Which are the best interface passivation methodologies and (high-k) gate dielectrics on Ge and III…
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Produktdetails
Weitere Autoren: Gusev, Evgeni (Hrsg.) / McIntyre, Paul C. (Hrsg.) / Heyns, Marc (Hrsg.)
- ISBN: 978-3-540-71490-3
- EAN: 9783540714903
- Produktnummer: 3048256
- Verlag: Springer-Verlag GmbH
- Sprache: Englisch
- Erscheinungsjahr: 2007
- Seitenangabe: 383 S.
- Masse: H24.1 cm x B16.0 cm x D2.6 cm 776 g
- Abbildungen: 120 schw.-w. und 20 farb. Abb., 20 farb. Fotos
- Reihenbandnummer: 27
- Gewicht: 776
Über den Autor
92823205
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