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Cheng (Hrsg.) Wang

Hot Carrier Design Considerations for Mos Devices and Circuits

Buch

As device dimensions decrease, hot-carrier effects, which are due mainly to the presence of a high electric field inside the device, are becoming a major design concern. On the one hand, the detrimental effects-such as transconductance degradation and threshold shift-need to be minimized or, if possible, avoided altogether. On the other hand, performance­ such as the programming efficiency of nonvolatile memories or the carrier velocity inside the devices-need to be maintained or improved through the use of submicron technologies, even in the presence of a reduced power supply. As a result, one of the major challenges facing MOS design engine… Mehr

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Produktdetails


  • ISBN: 978-1-4684-8549-3
  • EAN: 9781468485493
  • Produktnummer: 14634156
  • Verlag: Springer Us
  • Sprache: Englisch
  • Erscheinungsjahr: 2012
  • Seitenangabe: 356 S.
  • Masse: H23.8 cm x B17.6 cm x D2.2 cm 508 g
  • Auflage: Softcover reprint of the original 1st ed. 1992
  • Abbildungen: Paperback
  • Gewicht: 508

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