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Martin Schuster

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Buch

Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid hat das Potential, den Energiebedarf weltweit zu verringern. Die derzeit kostengünstigste GaN-Technologie basiert auf der GaN-auf-Silizium-Waferstruktur, also der GaN-Epitaxie auf Si-Wafern. Die Verbesserung und Weiterentwicklung dieser gesamten Technologie wird ein maßgeblicher Faktor für die Markteinführung und Verbreitung von Produkten GaN-basierter Leistungselektronik sein. Dies umfasst einerseits die Entwicklung von kostengünstigen und effizienten Produktionsprozessen der GaN-auf-Si Epi-Wafer und andererseits die Verwendung von Si-CMOS Fertigungslinien in Bezug auf einen kompatiblen und kon… Mehr

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Produktdetails


  • ISBN: 978-3-7460-9781-7
  • EAN: 9783746097817
  • Produktnummer: 26707768
  • Verlag: Books On Demand
  • Sprache: Deutsch
  • Erscheinungsjahr: 2018
  • Seitenangabe: 176 S.
  • Masse: H21.0 cm x B14.8 cm x D1.1 cm 264 g
  • Abbildungen: Paperback
  • Gewicht: 264

Über den Autor


Martin Schuster studierte an der Technischen Universität Dresden im Studiengang Elektrotechnik und schloss sein Studium mit dem Titel des Diplomingenieurs (Dipl.-Ing.)/Master of Science in Electrical Engineering (M.Sc.E.E.) ab.Martin Schuster beschäftigte sich in seiner Promotion mit dem Design und der Entwicklung einer geeigneten Bauelementetechnologie für den Einsatz einer elektrischen On-Wafer-Charakterisierung von epitaktisch gewachsenen 150mm GaN-auf-Si-Wafern. Im Rahmen dieser Aktivitäten ist er Autor und Co-Autor von mehreren begutachteten Artikeln.Die Veröffentlichung der Arbeit stellt den Abschluss seiner Promotion an der Technischen Universität Dresden im Promotionsstudiengang Elektrotechnik dar.

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