Nitride Wide Bandgap Semiconductor Material and Electronic Devices
This book systematically introduces physical characteristics and implementations of III-nitride wide bandgap semiconductor materials and electronic devices, with an emphasis on high-electron-mobility transistors (HEMTs). The properties of nitride semiconductors make the material very suitable for electronic devices used in microwave power amplification, high-voltage switches, and high-speed digital integrated circuits.
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Produktdetails
Weitere Autoren: Zhang, Jin Feng / Zhang, Jin Cheng
- ISBN: 978-1-4987-4513-0
- EAN: 9781498745130
- Produktnummer: 21759769
- Verlag: Taylor & Francis Ltd.
- Sprache: Englisch
- Erscheinungsjahr: 2016
- Seitenangabe: 412 S.
- Plattform: PDF
- Masse: 41'153 KB
- Abbildungen: 469 schwarz-weiße Abbildungen, 30 schwarz-weiße Tabellen
Über den Autor
Yue Hao, Jin Feng Zhang, and Jin Cheng Zhang are affiliated with Xidian University, China.
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