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Martin Schuster

Design und Entwicklung einer High-Electron-Mobility Transistor Technologie für Leistungsbauelemente zur Charakterisierung von epitaktisch gewachsenem Galliumnitrid auf 150 mm Si-Wafern

Ebook (PDF Format)

Leistungselektronik auf Basis von Galliumnitrid hat das Potential, den Energiebedarf weltweit zu verringern. Die derzeit kostengünstigste GaN-Technologie basiert auf der GaN-auf-Silizium-Waferstruktur, also der GaN-Epitaxie auf Si-Wafern. Die Verbesserung und Weiterentwicklung dieser gesamten Technologie wird ein maßgeblicher Faktor für die Markteinführung und Verbreitung von Produkten GaN-basierter Leistungselektronik sein. Dies umfasst einerseits die Entwicklung von kostengünstigen und effizienten Produktionsprozessen der GaN-auf-Si Epi-Wafer und andererseits die Verwendung von Si-CMOS Fertigungslinien in Bezug auf einen kompatiblen und kon… Mehr

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Produktdetails


  • ISBN: 978-3-7448-6643-9
  • EAN: 9783744866439
  • Produktnummer: 26896123
  • Verlag: Books on Demand
  • Sprache: Deutsch
  • Erscheinungsjahr: 2018
  • Seitenangabe: 176 S.
  • Plattform: PDF
  • Masse: 72'695 KB
  • Auflage: 1. Auflage

Über den Autor


Martin Schuster studierte an der Technischen Universität Dresden im Studiengang Elektrotechnik und schloss sein Studium mit dem Titel des Diplomingenieurs (Dipl.-Ing.)/Master of Science in Electrical Engineering (M.Sc.E.E.) ab.Martin Schuster beschäftigte sich in seiner Promotion mit dem Design und der Entwicklung einer geeigneten Bauelementetechnologie für den Einsatz einer elektrischen On-Wafer-Charakterisierung von epitaktisch gewachsenen 150mm GaN-auf-Si-Wafern. Im Rahmen dieser Aktivitäten ist er Autor und Co-Autor von mehreren begutachteten Artikeln.Die Veröffentlichung der Arbeit stellt den Abschluss seiner Promotion an der Technischen Universität Dresden im Promotionsstudiengang Elektrotechnik dar.

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