Physik der Halbleiterbauelemente
Das Standardwerk zur Physik der Halbleiterbauelemente - erstmals auf Deutsch! Dieses einzigartige Buch, geschrieben von Pionieren auf dem Gebiet, behandelt sämtliche Aspekte der Physik der Halbleiterbauelemente, die zu deren Verständnis, Betrieb, Weiter- und Neuentwicklung notwendig sind. Wie das englische Original ist die deutsche Ausgabe ein äußerst nützliches Nachschlagewerk in der industrieorientierten Halbleiterforschung und eignet sich ebenfalls ausgezeichnet als Einstiegsliteratur für Studierende sowie als Unterrichtsmaterial für Vortragende. Bei der deutschen Ausgabe wurde besonderer Wert auf eine gute Lesbarkeit gelegt und daher die…
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Produktdetails
Weitere Autoren: Sze, Simon M. / Li, Yiming
- ISBN: 978-3-527-82827-2
- EAN: 9783527828272
- Produktnummer: 37501174
- Verlag: Wiley-Vch
- Sprache: Deutsch
- Erscheinungsjahr: 2021
- Seitenangabe: 912 S.
- Plattform: PDF
- Masse: 50'477 KB
Über den Autor
Die Autoren Simon M. Sze ist Lehrstuhlinhaber an der National Chiao Tung University, Taiwan. Er hat bahnbrechende Beiträge zur Entwicklung von Halbleiterbauelementen geleistet und ist Miterfinder der Grundlage aller nichtflüchtigen Halbleiterspeicher wie Flash-Speicher und EEPROMs. Yiming Li ist Professor an der National Chiao Tung University, Taiwan. In der Abteilung für Elektro- und Computertechnik forscht er zu computerorientierter Elektronik, Bauteilphysik, Halbleiternanostrukturen sowie der Modellierung und Simulation von Schaltkreisen. Kwok K. Ng ist Senior Director bei der Semiconductor Research Corporation im Research Triangle Park, North Carolina, USA. Zuvor hat er langjährig in Führungspositionen bei Agere Systems, Lucent Technologies, MVC und den Bell-Laboratorien von AT&T gearbeitet. Der Übersetzer Jürgen Smoliner ist Professor am Institut für Festkörperelektronik der Technischen Universität Wien. Seine Forschungsaktivitäten liegen auf den Gebieten der Charakterisierung von Halbleiter- Bauelementen mit verschiedenen Raster-Sonden Methoden sowie der Untersuchung des Stromtransports in Nanostrukturen.
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